窗片晶片使用多次后被污染后处理方法-抛光
我们这里所说的*是指具有较低红外吸收系数的单晶。在ｋｂｒ原料中，适量添加ｋｂｒ３，可利用ｋｂｒ３在热分解过程中产生的游离溴去除ｋｂｒ原料中的含氧基团，纯化原料。用提拉法在大气环境中也能生长出低吸收系数的大尺寸优质ｋｂｒ单晶。采用提拉法生长kbr单晶 ,设计合理的温场 ,探索*的生长工艺条件 ,可以生长出了具有高透过、低吸收和光学均匀性高的φ1 2 0× 1 2 0mm大尺寸的单晶 ,同时还应该知道影响其光学性能的各种因素 ,以及提高透过、消除吸收峰的各种方法。其红外吸收系数在１×１０ˉｃｍˉ¹数量级。zui高级ｋｂｒ单晶透过波段宽(03～34ｕｍ),本征吸收系数β106μｍ≈20×10-7/ｃｍˉ¹比用普通方法生长的ｋｂｒ单晶的吸收系数降低２个数量级。这些都必须通过高压釜经过连续保温才能生长出合格的*单晶。
*是zui常用的窗片材料。*晶片硬度小，易加工，价格便宜。随着*晶片使用次数的增多，晶片表面划痕越来越多。*晶片表面越容易被有机物污染。如果测试的有机液体含有少量的水，水会溶解晶片表面的*，使晶片表面下凹，导致以后测试时液膜中出现气泡或液膜厚度不易掌握。当出现以上情况时，应将*晶片抛光。
现有的抛光方法有用抛光机抛光，或用抛光附件抛光。但无论哪种方法都无法有效抛光晶片表面，抛光精度差，导致红外波段的透过率较低，且对*晶片表面损伤较大。
技术实现要素：
本发明要解决的技术问题是现有的*晶片抛光方法无法实现有效抛光，影响红外波段的透过率，且会损伤晶片表面，为此提供一种*晶片的抛光方法。
本发明的技术方案是：*晶片的抛光方法，它包括以下步骤：（1）、将*晶片置于密闭锥形容器内，将密闭锥形容器抽真空；（2）、将酒精加热至50-60℃后放入密闭容器内，对密闭容器内充入干燥氮气，使其充满密闭容器；（3）、将密闭锥形容器放入离心机内进行离心10-20min，离心机转速为200-250r/min；（4）、打开密闭锥形容器，用滴管向密闭锥形容器内的*晶片表面滴加乙mi，再次封闭密闭锥形容器并放入离心机内进行离心6-10min，离心机转速为300-350r/min；（5）、取出密闭锥形容器内的*晶片，用干净绒布擦干*晶片表面。
本方法的有益效果是将*晶片置于真空环境中，利用加热后的酒精的挥发性在氮气的压迫下附着在*晶片表面，在离心机的高速旋转下雾化的酒精均匀附着在*晶片表面，逐渐溶解气表面的有机物，再通入乙mi，在离心机的高速旋转下进行深程度的清洁，使其表面恢复光洁，后取出擦干的*晶片即去除了表面的有机物和划痕，又zui大程度的降低了被酒精和乙mi溶解的量，延长*的使用寿命。
具体实施方式
下面结合实施例对本方法做进一步说明。
实施例1：*晶片的抛光方法，它包括以下步骤：（1）、将*晶片置于密闭锥形容器内，将密闭锥形容器抽真空；（2）、将酒精加热至50℃后放入密闭容器内，对密闭容器内充入干燥氮气，使其充满密闭容器；（3）、将密闭锥形容器放入离心机内进行离心10min，离心机转速为200r/min；（4）、打开密闭锥形容器，用滴管向密闭锥形容器内的*晶片表面滴加乙mi，再次封闭密闭锥形容器并放入离心机内进行离心6min，离心机转速为300r/min；（5）、取出密闭锥形容器内的*晶片，用干净绒布擦干*晶片表面。
实施例2：*晶片的抛光方法，它包括以下步骤：（1）、将*晶片置于密闭锥形容器内，将密闭锥形容器抽真空；（2）、将jue对酒精加热至55℃后放入密闭容器内，对密闭容器内充入干燥氮气，使其充满密闭容器；（3）、将密闭锥形容器放入离心机内进行离心15min，离心机转速为225r/min；（4）、打开密闭锥形容器，用滴管向密闭锥形容器内的*晶片表面滴加乙mi，再次封闭密闭锥形容器并放入离心机内进行离心8min，离心机转速为325r/min；（5）、取出密闭锥形容器内的*晶片，用干净绒布擦干*晶片表面。
实施例3：*晶片的抛光方法，它包括以下步骤：（1）、将*晶片置于密闭锥形容器内，将密闭锥形容器抽真空；（2）、将酒精加热至60℃后放入密闭容器内，对密闭容器内充入干燥氮气，使其充满密闭容器；（3）、将密闭锥形容器放入离心机内进行离心20min，离心机转速为250r/min；（4）、打开密闭锥形容器，用滴管向密闭锥形容器内的*晶片表面滴加乙mi，再次封闭密闭锥形容器并放入离心机内进行离心10min，离心机转速为350r/min；（5）、取出密闭锥形容器内的*晶片，用干净绒布擦干*晶片表面。
本方法的构思是将*晶片置于真空中隔绝外部环境的干扰，将酒精也就是*和镁反应得到的100%乙醇加热至50-60℃，加速其分子运动，将酒精置于密闭锥形容器内，利用其挥发性逐渐挥发成气体，由于其不含水分，所以不会对*晶片造成大的损伤。通入氮气是为了将挥发后的酒精气体约束在*晶片表面，再将密闭锥形容器放入离心机中高速旋转，利用密闭锥形容器的结构特点使得氮气在其内发生回旋，利用离心力使得酒精气体在*晶片表面旋转摩擦，溶解剥离其表面的有机液体，接着向*晶片滴加乙mi，高速旋转离心机，进一步增强去污效果，经过这几步处理后的*晶片即去除了表面残留的有机液体，修复表面的划痕，恢复其透光率，又控制了酒精和乙mi对其表面的腐蚀程度，延长了*晶片的单片使用寿命。
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现有的抛光方法有用抛光机抛光，或用抛光附件抛光。但无论哪种方法都无法有效抛光晶片表面，抛光精度差，导致红外波段的透过率较低，且对*晶片表面损伤较大。
技术实现要素：
本发明要解决的技术问题是现有的*晶片抛光方法无法实现有效抛光，影响红外波段的透过率，且会损伤晶片表面，为此提供一种*晶片的抛光方法。
本发明的技术方案是：*晶片的抛光方法，它包括以下步骤：（1）、将*晶片置于密闭锥形容器内，将密闭锥形容器抽真空；（2）、将酒精加热至50-60℃后放入密闭容器内，对密闭容器内充入干燥氮气，使其充满密闭容器；（3）、将密闭锥形容器放入离心机内进行离心10-20min，离心机转速为200-250r/min；（4）、打开密闭锥形容器，用滴管向密闭锥形容器内的*晶片表面滴加乙mi，再次封闭密闭锥形容器并放入离心机内进行离心6-10min，离心机转速为300-350r/min；（5）、取出密闭锥形容器内的*晶片，用干净绒布擦干*晶片表面。
本方法的有益效果是将*晶片置于真空环境中，利用加热后的酒精的挥发性在氮气的压迫下附着在*晶片表面，在离心机的高速旋转下雾化的酒精均匀附着在*晶片表面，逐渐溶解气表面的有机物，再通入乙mi，在离心机的高速旋转下进行深程度的清洁，使其表面恢复光洁，后取出擦干的*晶片即去除了表面的有机物和划痕，又zui大程度的降低了被酒精和乙mi溶解的量，延长*的使用寿命。
具体实施方式
下面结合实施例对本方法做进一步说明。
实施例1：*晶片的抛光方法，它包括以下步骤：（1）、将*晶片置于密闭锥形容器内，将密闭锥形容器抽真空；（2）、将酒精加热至50℃后放入密闭容器内，对密闭容器内充入干燥氮气，使其充满密闭容器；（3）、将密闭锥形容器放入离心机内进行离心10min，离心机转速为200r/min；（4）、打开密闭锥形容器，用滴管向密闭锥形容器内的*晶片表面滴加乙mi，再次封闭密闭锥形容器并放入离心机内进行离心6min，离心机转速为300r/min；（5）、取出密闭锥形容器内的*晶片，用干净绒布擦干*晶片表面。
实施例2：*晶片的抛光方法，它包括以下步骤：（1）、将*晶片置于密闭锥形容器内，将密闭锥形容器抽真空；（2）、将jue对酒精加热至55℃后放入密闭容器内，对密闭容器内充入干燥氮气，使其充满密闭容器；（3）、将密闭锥形容器放入离心机内进行离心15min，离心机转速为225r/min；（4）、打开密闭锥形容器，用滴管向密闭锥形容器内的*晶片表面滴加乙mi，再次封闭密闭锥形容器并放入离心机内进行离心8min，离心机转速为325r/min；（5）、取出密闭锥形容器内的*晶片，用干净绒布擦干*晶片表面。
实施例3：*晶片的抛光方法，它包括以下步骤：（1）、将*晶片置于密闭锥形容器内，将密闭锥形容器抽真空；（2）、将酒精加热至60℃后放入密闭容器内，对密闭容器内充入干燥氮气，使其充满密闭容器；（3）、将密闭锥形容器放入离心机内进行离心20min，离心机转速为250r/min；（4）、打开密闭锥形容器，用滴管向密闭锥形容器内的*晶片表面滴加乙mi，再次封闭密闭锥形容器并放入离心机内进行离心10min，离心机转速为350r/min；（5）、取出密闭锥形容器内的*晶片，用干净绒布擦干*晶片表面。
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