半导体元件测试系统
半导体元件测试系统是一套应用在半导体测试行业中进行高温低温测试的系统，其中温度范围比较宽，低温可达-45℃，高温可达250℃，半导体元件测试系统整个系统为全密闭系统，高温时不会有油雾、低温不吸收空气中水分，系统在运行中不会因为高温使压力上升，低温自动补充导热介质。
半导体元件测试系统整个真空室位于扩散泵正上方，有利于抽气，加快抽气速率，使真空室容易达到高真空。真空室内设有紫铜封闭液氮池，可以在高真空下吸附气体分子，提高真空度1个数量。使被测物在高真空中，不受环境影响进行测试、分析。
半导体元件测试系统真空室装置的真空室的法兰与真空机组的扩散泵抽气法兰对接，开口处是20mm厚的防爆玻璃为观察窗口，内腔由紫铜液氮池，由漏斗将液氮倒入，经直径6mm的紫铜管进入液氮池，另一根管口是挥发出气口，池顶的平台是样品测试台，上面有15根测试用线，引出真空室外，在外面连接各种测量设备。真空室内的气体分子被吸附固定在液氮池表面，提高了真空度。透过高温防爆玻璃，还可以观察测量样品的位移变化和发光强度。
半导体元件测试系统取放样品时，先将固定玻璃的紧固圈旋开，拿开防爆玻璃再取放样片。法兰口与扩散泵的抽气口连接，真空度在1小时内可达1.5×10-3pa。需要低温时将2升液氮由漏斗到入内腔液氮池，出气孔位于内腔液氮池的顶部，由直径6mm的紫铜管引出密封真空室外，样品五分钟内可由室温降到-45℃。在液氮蒸发减少过程中，液面降低，温度逐渐上升，控制液面的高低，就可以控制温度。控制高阀大小，就可以控制真空度。需要高温测试时，可由调压器控制真空室内部的辐射式加热器提升到较高250℃。可通过引入线控制加热温度，进行导电率、发光率、变形率、超导率的测试。
半导体元件测试系统的导热介质出口温度、介质进口温度、制冷系统冷凝温度、环境温度、压缩机吸气温度都可以反馈，升降温快速，效果稳定。（注：本来部分内容来百度学术相关论文，如果侵权，请及时联系我们进行删除，谢谢。）
型号 tes-4555 / tes-4555w
温度范围 -45℃～250℃
加热功率 5.5kw
制冷量 250℃ 5.5kw
100℃ 5.5kw
20℃ 5.5kw
0℃ 5kw
-20℃ 2.9kw
-40℃ 0.9kw
导热介质温控精度 ±0.3℃
系统压力显示 制冷系统压力采用指针式压力表实现（高压、低压）
循环系统压力采用压力传感器检测显示在触摸屏上
控制器 西门子plc，模糊pid控制算法，具备串控制算法
温度控制 导热介质出口温度控制模式
外接温度传感器：（pt100或4～20ma或通信给定）控制模式（串控制）
可编程 可编制10条程序，每条程序可编制45段步骤
通信协议 以太网接口tcp/ip协议
设备内部温度反馈 设备导热介质出口温度、介质进口温度、制冷系统冷凝温度、环境温度、压缩机吸气温度、冷却水温度（水冷设备有）
外接入温度反馈 pt100或4～20ma或通信给定
串控制时 导热油出口温度与外接温度传感器的温度差可设定可控制
温差控制功能 设备进液口温度与出液口温度的温度差值可设定可控制（保护系统安全）
密闭循环系统 整个系统为全密闭系统，高温时不会有油雾、低温不吸收空气中水份，系统在运行中不会因为高温使压力上升，低温自动补充导热介质。
加热 指系统大的加热输出功率（根据各型号）
加热器有三重保护，独立温度限制器，确保加热系统安全
功率大于10kw采用调压器，加热功率输出控制采用4～20ma线性控制
制冷能力 指在不同的温度具备带走热量的能力（理想状态下），实际工况需要考虑环境散热，请适当放大，并且做好保温措施。
循环泵流量、压力
max 采用冠亚磁力驱动泵/德国品牌磁力驱动泵
50l/min2.5bar
压缩机 艾默生
蒸发器 采用danfoss/高力板式换热器
制冷附件 丹佛斯/艾默生配件（干燥过滤器、油分离器、高低压保护器、膨胀阀）
操作面板 无锡冠亚定制7英寸彩色触摸屏，温度曲线显示\excel 数据导出
安全防护 具有自我诊断功能；相序断相保护器、冷冻机过载保护；高压压力开关，过载继电器、热保护装置等多种安全保障功能。
制冷剂 r-404a / r507c
接口尺寸 g3/4
外型尺寸（风）cm 55*95*170
外型尺寸（水）cm 45*85*130
风冷型 采用铜管铝翅片冷凝方式，上出风型式，冷凝风机采用德国ebm轴流风机
水冷型 w 带w型号为水冷型
水冷冷凝器 套管式换热器（帕丽斯/沈氏 ）
冷却水量 at 25℃ 1.5m3/h
电源 380v50hz 9kw max
电源 可定制460v 60hz、220v 60hz 三相
外壳材质 冷轧板喷塑 （标准颜色7035）
隔离防爆 可定制隔离防爆（exdiibt4)
无锡冠亚防爆产品安装许可证号：pcec-2017-b025
正压防爆 可定制正压防爆(expxdmbiict4) 正压系统必须是水冷设备
无锡冠亚防爆产品安装许可证号：pcec-2017-b025
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半导体元件测试系统整个真空室位于扩散泵正上方，有利于抽气，加快抽气速率，使真空室容易达到高真空。真空室内设有紫铜封闭液氮池，可以在高真空下吸附气体分子，提高真空度1个数量。使被测物在高真空中，不受环境影响进行测试、分析。
半导体元件测试系统真空室装置的真空室的法兰与真空机组的扩散泵抽气法兰对接，开口处是20mm厚的防爆玻璃为观察窗口，内腔由紫铜液氮池，由漏斗将液氮倒入，经直径6mm的紫铜管进入液氮池，另一根管口是挥发出气口，池顶的平台是样品测试台，上面有15根测试用线，引出真空室外，在外面连接各种测量设备。真空室内的气体分子被吸附固定在液氮池表面，提高了真空度。透过高温防爆玻璃，还可以观察测量样品的位移变化和发光强度。
半导体元件测试系统取放样品时，先将固定玻璃的紧固圈旋开，拿开防爆玻璃再取放样片。法兰口与扩散泵的抽气口连接，真空度在1小时内可达1.5×10-3pa。需要低温时将2升液氮由漏斗到入内腔液氮池，出气孔位于内腔液氮池的顶部，由直径6mm的紫铜管引出密封真空室外，样品五分钟内可由室温降到-45℃。在液氮蒸发减少过程中，液面降低，温度逐渐上升，控制液面的高低，就可以控制温度。控制高阀大小，就可以控制真空度。需要高温测试时，可由调压器控制真空室内部的辐射式加热器提升到较高250℃。可通过引入线控制加热温度，进行导电率、发光率、变形率、超导率的测试。
半导体元件测试系统的导热介质出口温度、介质进口温度、制冷系统冷凝温度、环境温度、压缩机吸气温度都可以反馈，升降温快速，效果稳定。（注：本来部分内容来百度学术相关论文，如果侵权，请及时联系我们进行删除，谢谢。）
型号 tes-4555 / tes-4555w
温度范围 -45℃～250℃
加热功率 5.5kw
制冷量 250℃ 5.5kw
100℃ 5.5kw
20℃ 5.5kw
0℃ 5kw
-20℃ 2.9kw
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加热 指系统大的加热输出功率（根据各型号）
加热器有三重保护，独立温度限制器，确保加热系统安全
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max 采用冠亚磁力驱动泵/德国品牌磁力驱动泵
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