ae-mic/AE-162D 用于超高速芯片电阻测试特征？
ae-162d 用于超高速芯片电阻测试
非常适合 d、f、g、j、k 级、片式、melf、
径向和轴向电阻器的分选机和编带机。
由于模拟部分与数字部分的隔离提高了抗噪性，因此稳定性高
兼容极小芯片（低功耗测量）
超高速0.7msec.（典型值）
热电动势抵消测量带来高精度和稳定性
通过每个量程的测量值积分时间设置功能，实现超高速和高稳定性测量。
%测量：±99.99% [5mω ~ 109mω]
绝对测量：0.00mω~200.00mω
接触检查：测量前/测量后/关闭可选
rs-232c接口标准设备（gp-ib可选）
打印机输出标准设备（centronics兼容）
标准设置值传输功能：（相同的设置数据可以传输到另一台ae-162d以进行自动设置。）
标准配备测量电流/测量电压异常检查电路
测量范围和基本精度（环境温度23℃±5℃），校准后180天[校准后1年：1.5倍]
测量范围标准值设定范围测量电流测量精度*
慢的快速地
100毫欧 5mω～100mω 100毫安 ±0.02%±2a±2d以内 ±0.03%±3a±2d±[2/(1+n)]d以内
1ω 100.1mω～1ω 100毫安 ±0.02%±a±1d以内 ±0.02%±a±2d±[2/(1+n)]d以内
10ω 1.001ω～10ω 50毫安
100ω 10.01ω～100ω 10毫安 ±0.02%±1d以内 ±0.02%±2d±[1/(1+n)]d以内
1kω 100.1ω～1kω 5毫安
10kω 1.001kω～10kω 0.5毫安
100kω 10.01kω～100kω 50μa
1兆欧 100.1kω～1mω 5μa ±0.05%±2d±[1/(1+n)]d以内
10兆欧 1.001mω～10mω 0.5μa ±0.03%±1d以内 ±0.2%±4d±[1/(1+n)]d以内
100兆欧 10.01mω～109mω 0.05μa ±0.1%±2d以内 ────
* d = 位数，n = 积分时间（毫秒），% 测量：α =（100/标准设定值 mω）x 0.01%，绝对值测量：α = 0（加上 ±1d） *屏蔽时的完整精度
测量时间外部启动自由奔跑
慢的 快速地 慢的 快速地
约18毫秒～400毫秒 约0.7毫秒～400毫秒 约30次/秒～约2次/秒 约 60 次/秒至约 2 次/秒
测量端子开路电压15v以下
测量结束信号（eoc）脉冲宽度1~250msec.可连续设定
测量方法4端测量/2端测量可切换
判断值设定范围%测量：±99.99%，绝对值测量：00000至20000
周边环境温度：0°c 至 +50°c，湿度：80% 或更低
所需电源ac85v至265v，50hz至60hz，约50va
外形尺寸333（宽）×99（高）×300（深）mm（不包括橡胶脚等突出物）
重量约3.5公斤
选项・gp-ib
・数据传输线
・短路端接（零欧姆标准电阻）
・转换适配器（3p×2⇒5p）
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慢的快速地
100毫欧 5mω～100mω 100毫安 ±0.02%±2a±2d以内 ±0.03%±3a±2d±[2/(1+n)]d以内
1ω 100.1mω～1ω 100毫安 ±0.02%±a±1d以内 ±0.02%±a±2d±[2/(1+n)]d以内
10ω 1.001ω～10ω 50毫安
100ω 10.01ω～100ω 10毫安 ±0.02%±1d以内 ±0.02%±2d±[1/(1+n)]d以内
1kω 100.1ω～1kω 5毫安
10kω 1.001kω～10kω 0.5毫安
100kω 10.01kω～100kω 50μa
1兆欧 100.1kω～1mω 5μa ±0.05%±2d±[1/(1+n)]d以内
10兆欧 1.001mω～10mω 0.5μa ±0.03%±1d以内 ±0.2%±4d±[1/(1+n)]d以内
100兆欧 10.01mω～109mω 0.05μa ±0.1%±2d以内 ────
* d = 位数，n = 积分时间（毫秒），% 测量：α =（100/标准设定值 mω）x 0.01%，绝对值测量：α = 0（加上 ±1d） *屏蔽时的完整精度
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慢的 快速地 慢的 快速地
约18毫秒～400毫秒 约0.7毫秒～400毫秒 约30次/秒～约2次/秒 约 60 次/秒至约 2 次/秒
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