ASML未来四代EUV光刻机进度披露：正向1nm迈进
日前，asml产品营销总监mike lercel向媒体分享了euv(极紫外)光刻机的进展。
asml现在主力出货的euv光刻机分别是nxe：3400b和3400c，它们的数值孔径(na)均为0.33，日期更近的3400c目前的可用性已经达到90%左右。
预计今年年底前，nxe：3600d将开始交付，30mj/cm2下的晶圆通量是160片，比3400c提高了18%，机器匹配套准精度也增加了，它预计会是未来台积电、三星3nm制程的主要依托。
在3600d之后，asml规划的三代光刻机分别是next、exe：5000和exe:5200，其中从exe：5000开始，数值孔径提高到0.55，但要等待2022年晚些时候发货了。
由于光刻机从发货到配置/培训完成需要长达两年时间，0.55na的大规模应用要等到2025~2026年了，服务的应该是台积电2nm甚至1nm等工艺。
0.55na比0.33na有着太多优势，包括更高的对比度、图形曝光更低的成本、更高的生产效率等。
当然，硅片、曝光洁净室逼近物理极限，也是不容小觑的挑战。现今5nm/7nm光刻机已然需要10万+零件、40个集装箱，而1nm时代光刻机要比3nm还大一倍左右，可想而知了。
原标题：asml未来四代euv光刻机进度披露：正向1nm迈进
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