非接触式：渦電流法測定-napson手持式涡流法电阻测量仪
在这里，我们将介绍非接触式（涡流法）电阻测量原理的概况（该原理的详细说明在材料中）。
（*在我们的产品中，根据电阻范围，还有另一种非接触式电阻测量方法系统。。此外，关于非接触式测量原理，除了涡流方法外，但很抱歉给您带来麻烦请联系我们）
涡流法主要用于非接触式，可测量1e-3（1m）至1e + 4（10k）ω/□电阻范围。
它可用于半导体，化合物半导体，液晶和新型碳基材料等广泛领域的测量。
涡流测量系统使用电磁感应产生的涡流来测量电阻。
非接触式测量探头单元的探头芯（磁性材料）在两侧（上下）以一定的间隙排列。
<非接触式测量探头单元的结构>
●在涡流法中，按照以下步骤进行测量。
（1）当在探针芯之间施加高频以产生磁通量并且插入样本时，样本中产生涡流。
（2）此时，（1）涡电流流过样品→（2）样品中消耗了电流，发生了功率损耗。
→③电路中的电流成比例降低。检测该减小的电流值。
（3）由于检测到的电流值与样品的电阻成反比关系，请使用此值。
座电阻或电阻是从电流值和座电阻的校准曲线（计算公式）得出的。
（*计算电阻时需要样品厚度信息）
日本napson手持式探针无损涡流法电阻测量仪
测量规格测量目标
半导体/太阳能电池材料相关（硅，多晶硅，sic等）
新材料/功能材料相关（碳纳米管，dlc，石墨烯，银纳米线等）
导电薄膜相关（金属，ito等）
硅基外延，离子与
半导体相关的注入样品化合物（gaas epi，gan epi，inp，ga等）
其他（*请与我们联系）
测量尺寸
无论样品大小和形状如何均可进行测量（但是，大于20mmφ且表面平坦）
测量范围
[电阻] 1m至200ω·cm
（*所有探头类型的总范围/厚度500um）
[板电阻] 10m至3kω/ sq
（*所有探头类型的总范围）
*有关每种探头类型的测量范围，请参阅以下内容。
（1）低：0.01至0.5ω/□（0.001至
0.05ω-cm）（2）中：0.5至10ω/□（0.05至0.5ω-cm）
（3））高：10至1000ω/□（0.5至60ω-cm）
（4）s-高：1000至3000ω/□（60至200ω-cm）
（5）太阳能晶片：5至500ω/□（0。 2至15ω-cm）
测量规格测量目标
半导体/太阳能电池材料相关（硅，多晶硅，sic等）
新材料/功能材料相关（碳纳米管，dlc，石墨烯，银纳米线等）
导电薄膜相关（金属，ito等）
硅基外延，离子与
半导体相关的注入样品化合物（gaas epi，gan epi，inp，ga等）
其他（*请与我们联系）
测量尺寸
无论样品大小和形状如何均可进行测量（但是，大于20mmφ且表面平坦）
测量范围
[电阻] 1m至200ω·cm
（*所有探头类型的总范围/厚度500um）
[板电阻] 10m至3kω/ sq
（*所有探头类型的总范围）
*有关每种探头类型的测量范围，请参阅以下内容。
（1）低：0.01至0.5ω/□（0.001至
0.05ω-cm）（2）中：0.5至10ω/□（0.05至0.5ω-cm）
（3））高：10至1000ω/□（0.5至60ω-cm）
（4）s-高：1000至3000ω/□（60至200ω-cm）
（5）太阳能晶片：5至500ω/□（0。 2至15ω-cm）
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（*在我们的产品中，根据电阻范围，还有另一种非接触式电阻测量方法系统。。此外，关于非接触式测量原理，除了涡流方法外，但很抱歉给您带来麻烦请联系我们）
涡流法主要用于非接触式，可测量1e-3（1m）至1e + 4（10k）ω/□电阻范围。
它可用于半导体，化合物半导体，液晶和新型碳基材料等广泛领域的测量。
涡流测量系统使用电磁感应产生的涡流来测量电阻。
非接触式测量探头单元的探头芯（磁性材料）在两侧（上下）以一定的间隙排列。
<非接触式测量探头单元的结构>
●在涡流法中，按照以下步骤进行测量。
（1）当在探针芯之间施加高频以产生磁通量并且插入样本时，样本中产生涡流。
（2）此时，（1）涡电流流过样品→（2）样品中消耗了电流，发生了功率损耗。
→③电路中的电流成比例降低。检测该减小的电流值。
（3）由于检测到的电流值与样品的电阻成反比关系，请使用此值。
座电阻或电阻是从电流值和座电阻的校准曲线（计算公式）得出的。
（*计算电阻时需要样品厚度信息）
日本napson手持式探针无损涡流法电阻测量仪
测量规格测量目标
半导体/太阳能电池材料相关（硅，多晶硅，sic等）
新材料/功能材料相关（碳纳米管，dlc，石墨烯，银纳米线等）
导电薄膜相关（金属，ito等）
硅基外延，离子与
半导体相关的注入样品化合物（gaas epi，gan epi，inp，ga等）
其他（*请与我们联系）
测量尺寸
无论样品大小和形状如何均可进行测量（但是，大于20mmφ且表面平坦）
测量范围
[电阻] 1m至200ω·cm
（*所有探头类型的总范围/厚度500um）
[板电阻] 10m至3kω/ sq
（*所有探头类型的总范围）
*有关每种探头类型的测量范围，请参阅以下内容。
（1）低：0.01至0.5ω/□（0.001至
0.05ω-cm）（2）中：0.5至10ω/□（0.05至0.5ω-cm）
（3））高：10至1000ω/□（0.5至60ω-cm）
（4）s-高：1000至3000ω/□（60至200ω-cm）
（5）太阳能晶片：5至500ω/□（0。 2至15ω-cm）
测量规格测量目标
半导体/太阳能电池材料相关（硅，多晶硅，sic等）
新材料/功能材料相关（碳纳米管，dlc，石墨烯，银纳米线等）
导电薄膜相关（金属，ito等）
硅基外延，离子与
半导体相关的注入样品化合物（gaas epi，gan epi，inp，ga等）
其他（*请与我们联系）
测量尺寸
无论样品大小和形状如何均可进行测量（但是，大于20mmφ且表面平坦）
测量范围
[电阻] 1m至200ω·cm
（*所有探头类型的总范围/厚度500um）
[板电阻] 10m至3kω/ sq
（*所有探头类型的总范围）
*有关每种探头类型的测量范围，请参阅以下内容。
（1）低：0.01至0.5ω/□（0.001至
0.05ω-cm）（2）中：0.5至10ω/□（0.05至0.5ω-cm）
（3））高：10至1000ω/□（0.5至60ω-cm）
（4）s-高：1000至3000ω/□（60至200ω-cm）
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