美国ti具有保护,感测或电源管理功能的集成mosfet和栅极驱动器解决方案。借助集成的fet解决方案,我们的电机驱动器可提供有效的开关和电流控制,以大程度地提高单个芯片的输出电流能力。智能栅极驱动器集成了无源组件,以减小电路板尺寸,设计复杂性和成本,支持可调节的栅极驱动电流,灵活的mosfet选择,效率,低emi和小的电路板空间。
drv835x美国ti驱动器产品特点如下:
9至100v,三重半桥变频器驱动器
集成降压稳压器
所谓的三路低端电流并联放大器
智能门驱动架构
可调摆率控制以实现emi性能
v gs握手和少的死区时间插入以防止直通
50ma至1a初始源电流
100ma至2a的前置灌电流
通过强大的降低降低dv / dt
集成式螺杆驱动器电源
倍压系数泵,用于100%pwm转矩控制
低侧线性稳压器
集成lm5008a降压稳压器
6至95v工作电压范围
2.5至75v,350ma输出能力
集成三路电流分流放大器
可调增益(5、10、20、40 v / v)
双向或单向支持
6x,3x,1x和独立pwm模式
支持120°感应操作
提供spi或硬件接口
低功耗睡眠模式(v vm = 48v时为20 µa )
集成保护功能
vm欠压锁定(uvlo)
无人机驱动器电源欠压(gduv)
mosfet v ds过流保护(ocp)
防止mosfet击穿
门驱动器故障(gdf)
热警告和关闭(otw / otsd)
故障状态指示灯(nfault)
美国ti drv835x系列设备是用于三相无刷直流(bldc)电机应用的高度集成的栅极驱动器。这些应用包括bldc电机的磁场定向控制(foc),正弦电流控制和梯形电流控制。器件变体提供可选的集成电流分流放大器,以支持不同的电机控制方案,并提供降压调节器来为栅极驱动器或外部控制器供电。
美国ti drv835x采用智能栅极驱动(sgd)架构,以减少mosfet摆率控制和保护电路通常必需的外部组件数量。sgd架构还优化了死区时间,以防止直通情况,通过mosfet压摆率控制提供降低电磁干扰(emi)的灵活性,并通过v gs监控器防止栅极短路情况。强大的栅极下拉电路有助于防止不必要的dv / dt寄生栅极导通事件
支持各种pwm控制模式(6x,3x,1x和独立),以简化与外部控制器的接口。这些模式可以减少电机驱动器pwm控制信号所需的控制器输出数量。该器件系列还包括1x pwm模式,可通过使用内部块换向表对bldc电机进行简单的感应梯形控制。
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