阿托斯压差传感器与压力传感器的区别

阿托斯压差传感器与压力传感器的区别
区别:
1、测量的参数不同:压差传感器测量相对压力,即两个部位的压力差。压力传感器测量对压力。
2、接口不同:压差传感器有两个输入管口分别用于连接两个测点;压力传感器只有一个连接管口。
分类
多传感器信息融合技术的基本原理就像人的大脑综合处理信息的过程一样,将各种传感器进行多层次、多空间的信息互补和优化组合处理,终产生对观测环境的一致性解释。在这个过程中要充分地利用多源数据进行合理支配与使用,而信息融合的终目标则是基于各传感器获得的分离观测信息,通过对信息多级别、多方面组合导出更多有用信息。这不仅是利用了多个传感器相互协同操作的优势,而且也综合处理了其它信息源的数据来提高整个传感器系统的智能化压力传感器是使用为广泛的一种传感器。传统的压力传感器以机械结构型的器件为主,以弹性元件的形变指示压力,但这种结构尺寸大、质量重,不能提供电学输出。随着半导体技术的发展,半导体压力传感器也应运而生。其特点是体积小、质量轻、准确度高、温度特性好。特别是随着mems技术的发展,半导体传感器向着微型化发展,而且其功耗小、可靠性高。
扩散硅压力变送器
扩散硅压力变送器是把带隔离的硅压阻式压力敏感元件封装于不锈钢壳体内制作而成。它能将感受到的液体或气体压力转换成标准的电信号对外输出,data-52系列扩散硅压力变送器广泛应用于供/排水、热力、石油、化工、冶金等工业过程现场测量和控制。
扩散硅压力变送器data-52系列
扩散硅压力变送器data-52系列
扩散硅压力变送器data-52系列
扩散硅压力变送器data-52系列
性能指标:
测量介质:液体或气体(对不锈钢壳体无腐蚀)
量程:0-10mpa
精度等级:0.1%fs、0.5%fs(可选)
稳定性能:±0.05%fs/年;±0.1%fs/年
输出信号:rs485、4~20ma(可选)
过载能力:150%fs
零点温度系数:±0.01%fs/℃
满度温度系数:±0.02%fs/℃
防护等级:ip68
环境温度:-10℃~80℃
存储温度:-40℃~85℃
供电电源:9v~36v dc;
结构材料:外壳:不锈钢1cr18ni9ti
密封圈:氟橡胶
膜片:不锈钢316l
电缆:φ7.2mm聚氨酯电缆
半导体压电阻型
半导体压电阻抗扩散压力传感器是在薄片表面形成半导体变形压力,通过外力(压力)使薄片变形而产生压电阻抗效果,从而使阻抗的变化转换成电信号。
静电容量型
静电容量型压力传感器,是将玻璃的固定极和硅的可动极相对而形成电容,将通过外力(压力)使可动极变形所产生的静电容量的变化转换成电气信号。 (e8y的动作原理便是静电容量方式,其他机种采用半导体方式)。
压力传感器工作原理
1 、应变片压力传感器原理
力学传感器的种类繁多,如电阻应变片压力传感器、半导体应变片压力传感器、压阻式压力传感器、电感式压力传感器、电容式压力传感器、谐振式压力传感器及电容式加速度传感器等。
电阻应变片是一种将被测件上的应变变化转换成为一种电信号的敏感器件。电阻应变片应用多的是金属电阻应变片和半导体应变片两种。通常是将应变片通过特殊的粘和剂紧密的粘合在产生力学应变基体上,当基体受力发生应力变化时,电阻应变片也一起产生形变,使应变片的阻值发生改变,从而使加在电阻上的电压发生变化。一般这种应变片都组成应变电桥,并通过后续的仪表放大器进行放大,再传输给处理电路(通常是a/d 转换和cpu )显示或执行机构。
2 、陶瓷压力传感器原理
陶瓷压力传感器 压力直接作用在陶瓷膜片的前表面,使膜片产生微小的形变,厚膜电阻印刷在陶瓷膜片的背面,连接成一个惠斯通电桥(闭桥),由于压敏电阻的压阻效应,使电桥产生一个与压力成正比的电压信号。
3 、扩散硅压力传感器原理
工作原理:被测介质的压力直接作用于传感器的膜片上(不锈钢或陶瓷),使膜片产生与介质压力成正比的微位移,使传感器的电阻值发生变化, 用电子线路检测这一变化,并转换输出一个对应于这一压力的标准测量信号。
4 、蓝宝石压力传感器
利用应变电阻式工作原理,采用硅- 蓝宝石作为半导体敏感元件,具有良好的计量特性。
5 、压电压力传感器原理
压电传感器中主要使用的压电材料包括有石英、酒石酸钾钠和磷酸二氢胺。其中石英(二氧化硅)是一种天然晶体,压电效应就是在这种晶体中发现的,在一定的温度范围之内,压电性质一直存在,但温度超过这个范围之后,压电性质*消失(这个高温就是所谓的 “居里点”)。由于随着应力的变化电场变化微小(也就说压电系数比较低),所以石英逐渐被其他的压电晶体所替代。

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