ACS Omega:对MBE系统生长NaCl/GaAs体系内在特性的思考

主要内容
由于 iii-v 族半导体生长所需的衬底成本过高,这使得大面积半导体生长技术受到限制。因此,能够分离器件层并重复使用原始衬底是较为理想的方案,但现有的从衬底上剥离薄膜技术具有显著缺点。这篇文章讨论了在 iii-v 族衬底和覆盖层之间所生长的水溶性碱卤盐薄膜的复杂性。大部分困难源于生长的 gaas 在高温下会在 naci 表面活性分解。gaas 沉积之前和沉积期间,原位电子束入射到 nacl 表面会影响 iii−v 族覆盖层结晶度和形态。
在这篇文章中,团队研究了生长过程中宽范围生长温度、元素源和高能电子在不同点的撞击通量时间等因素对生长的影响。其中发现,根据特定生长条件会出现各种形态(离散岛状物、多孔材料及具有尖锐界面的致密层)和结晶度(非晶、结晶、高纹理),这主要是由 gaas 成核的变化驱动,而 gaas 成核在很大程度上受到反射式高能电子衍射束的影响。
其中由巨力光电代理的 ksa bandit实时衬底温度测试仪 在研究过程中提供温度测量
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ksa bandit实时衬底温度测试仪 是一种非接触、实时测量半导体衬底表面温度的测试系统,采用半导体材料吸收边随温度的变化的原理,实时测量晶片/衬底的温度。
文献信息
consideration of the intricacies inherent in molecular beam epitaxy of the nacl/gaas system
brelon j. may, jae jin kim, patrick walker, william e. mcmahon, helio r. moutinho, aaron j. ptak, and david l. young*

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