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可控硅可靠性测试及测试标准-高温高湿试验(三)
三、高温高湿试验
目的:模拟非密封器件在高温高湿环境下工作,检验塑封产品抗水汽侵入及腐蚀的能力。
条件: 85℃/85%rh,168hrs
失效机理:器件在高温高湿的环境下,加速了芯片键合及表面的电解腐蚀,评估器件在存储环境中对水汽的抵抗能力。
测试标准: jesd22-a101-b
适用的研发和工艺改进:
1、高温扩散工艺技术的改进(重点是高温长时间扩散,如隔离扩散)包括可能引起硅片内部隐裂的工艺技术改进
2、包封工艺技术、框架处理工艺技术的改进
3、塑封料、框架的变更
4、新产品(含新的封装结构)
5、封装工艺过程中的污染
关键词:芯片
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