如何改善开关电源电路的EMI特性？
为提高开关电源的功率密度，电源工程师首先想到的办法是选择开关频率更高的mosfet,通过提高开关速度可以显著地减小输出滤波器体积，从而在单位体积内可实现更高的功率等级。但是随着开关频率的提高，会带来emi特性的恶化，必须采取有效的措施改善电路的emi特性
开关电源的功率mosfet安装在印制电路板上，由于印制电路板上mosfet走线和环路存在杂散电容和寄生电感，开关频率越高，这些杂散电容和寄生电感更加不能够忽略。由于mosfet上的电压和电流在开关时会快速变化，快速变化的电压和电流与这些杂散电容和寄生电感相互作用，会导致电压和电流出现尖峰，使输出噪声明显增加，影响系统emi特性。
由1-1和1-2式可知，寄生电感和di/dt形成电压尖峰，寄生电容和dv/dt形成电流尖峰。这些快速变化的电流和关联的谐波在其他地方产生耦合的噪声电压，因此影响到开关电源emi特性。下面以反激式开关拓扑为例，对降低mosfet的dv/dt和di/dt措施进行介绍。
图1 mosfet噪声源
1
降低mosfet的dv/dt
图2 mosfet等效电路
我们关注的是mosfet特性以及影响这些特性的寄生效应：
1-3中，rg和cgd越大，dv/dt越低。1-4中，coss越低，dv/dt越高。在mosfet选型中，mosfet的coss、ciss、crss参数特性，影响开关尖峰大小。
从上述分析中可知，我们可以通过提高mosfet寄生电容cgd、cgs、cds和增大驱动电阻值rg来降低dv/dt。
图3 降低mosfet的dv/dt措施
可以采取以下有效措施：
较高的cds可以降低dv/dt并降低vds过冲；但是较高的cds会影响转换器的效率。可以使用具有较低击穿电压和低导通电阻的mosfet（这类mosfet的cds也较小）。但是如果考虑噪声辐射，则需要使用较大的谐振电容(cds)。因此提高cds则需要权衡emi和效率两者的关系；
较高的cgd实质上增加了mosfet在米勒平台的持续时间，可以降低dv/dt。但这会导致增加开关损耗，从而降低mosfet效率并且会提高其温升。提高cgd，需要驱动电流也会大幅增加，驱动器可能会因瞬间电流过大而烧毁；建议不要轻易添加cgd；
在栅极处添加外部cgs电容，但很少使用此方法，因为增加栅极电阻rg相对更简单。效果是相同的。
总结
图3总结为降低mosfet的dv/dt措施总结。mosfet内部寄生参数（cgd和cds）较低时，就可能有必要使用外部cgd和cds来降低dv/dt。外部电容的范围为几pf到100pf，这为设计人员提供这些寄生电容的固定值进行参考设计。
2
降低电路中di/dt
图4 降低mosfet的di/dt措施
图4，mosfet驱动阶段中存在的各个di/dt部分产生两种效果：
g极、d极、s极处的杂散电感引起的噪声电压；
初级大环路的噪声电压。
可通过下面措施进行改进：
1、增加高频电容减小环路面积
我们可以采取措施减小高频电位跳变点的pcb环路面积。增加高频高压直流电容c_ip是减少pcb环路面积和分离高频和低频两个部分回路有效措施。
2、合理增加磁珠抑制高频电流
为了额外降低di/dt，可以在电路中增加已知的电感，以抑制高频段的电流尖峰和振荡。已知的电感与杂散电感串联，所以总电感值在设计者已知的电感范围内。铁氧体磁珠就是很好的高频电流抑制器，它在预期频率范围内变为电阻，并以热的形式消散噪声能量。
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从上述分析中可知，我们可以通过提高mosfet寄生电容cgd、cgs、cds和增大驱动电阻值rg来降低dv/dt。
图3 降低mosfet的dv/dt措施
可以采取以下有效措施：
较高的cds可以降低dv/dt并降低vds过冲；但是较高的cds会影响转换器的效率。可以使用具有较低击穿电压和低导通电阻的mosfet（这类mosfet的cds也较小）。但是如果考虑噪声辐射，则需要使用较大的谐振电容(cds)。因此提高cds则需要权衡emi和效率两者的关系；
较高的cgd实质上增加了mosfet在米勒平台的持续时间，可以降低dv/dt。但这会导致增加开关损耗，从而降低mosfet效率并且会提高其温升。提高cgd，需要驱动电流也会大幅增加，驱动器可能会因瞬间电流过大而烧毁；建议不要轻易添加cgd；
在栅极处添加外部cgs电容，但很少使用此方法，因为增加栅极电阻rg相对更简单。效果是相同的。
总结
图3总结为降低mosfet的dv/dt措施总结。mosfet内部寄生参数（cgd和cds）较低时，就可能有必要使用外部cgd和cds来降低dv/dt。外部电容的范围为几pf到100pf，这为设计人员提供这些寄生电容的固定值进行参考设计。
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降低电路中di/dt
图4 降低mosfet的di/dt措施
图4，mosfet驱动阶段中存在的各个di/dt部分产生两种效果：
g极、d极、s极处的杂散电感引起的噪声电压；
初级大环路的噪声电压。
可通过下面措施进行改进：
1、增加高频电容减小环路面积
我们可以采取措施减小高频电位跳变点的pcb环路面积。增加高频高压直流电容c_ip是减少pcb环路面积和分离高频和低频两个部分回路有效措施。
2、合理增加磁珠抑制高频电流
为了额外降低di/dt，可以在电路中增加已知的电感，以抑制高频段的电流尖峰和振荡。已知的电感与杂散电感串联，所以总电感值在设计者已知的电感范围内。铁氧体磁珠就是很好的高频电流抑制器，它在预期频率范围内变为电阻，并以热的形式消散噪声能量。
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