功能材料电学综合测试系统介绍（一）
铁电参数测试功能
dynamic hysteresis动态电滞回线测试频率
static hysterestic静态电滞回线测试；
pund脉冲测试；
fatigue疲劳测试；
retention保持力；
imprint印迹；
leakage current漏电流测试；
thermo measurement变温测试功能。
压电参数测试功能
可进行压电陶瓷的准静态d33等参数测试，也可通过高压放大器与位移传感器（如激光干涉仪）动态法测量压电系数测量。
热释电测试功能
主要用于薄膜及块体材料变温的热释电性能测试。采用电流法进行测量材料的热释电电流、热释电系数、剩余极化强度对温度和时间的曲线。
薄膜材料变温范围：-196℃到+600℃；
块体材料变温范围：室温到200℃、室温到600℃、室温到800℃
介电温谱测试功能
用于分析宽频、高低温环境条件下功能材料的阻抗z、电抗x、导纳y、电导g、电纳b、电感l、介电损耗d、品质因数q等物理量，同时还可以分析被测样品随温度、频率、时间、偏压变化的曲线。也可进行压电陶瓷的居里温度测试。
热激发极化电流测试仪tsdc
用于研究材功材料性能的一些关键因素，诸如分子弛豫、相转变、玻璃化温度等等，通过tsdc技术也可以比较直观的研究材料的弛豫时间、活化能等相关的介电特性。
绝缘电阻测试功能
高精zhun度的电压输出与电流测量，保障测试的品质，适用于功能材料在高温环境材料的数据的检测。例如：陶瓷材料、硅橡胶测试、pcb、云母、四氟材料电阻测试、也可做为科研院所新材料的高温绝缘电阻的性能测试。
高温四探针测试功能
符合功能材料导体、半导体材料与其它新材料在高温环境下测试多样化的需求。双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国a.s.t.m标准。也可应用于产品检测以及新材料电学性能研究等用途。
塞贝克系数/电阻测量系统
适用于半导体，陶瓷材料，金属材料等多种材料的多种热电性能分析；可根据用户需求配置薄膜测量选件，低温选件温度范围-100℃到200℃，高阻选件高至10mω。
电卡效应测试功能
还可以用于测试材料在宽温度范围内的电卡性能。
温度范围：-50℃到200℃、热流时间范围：1s-1000s，大电压可达10kv，
波形：用户自定、脉冲、三角波、正弦波、任意波形、预定义波形。
用户可根据不同的需要，选择不同的配置。
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压电参数测试功能
可进行压电陶瓷的准静态d33等参数测试，也可通过高压放大器与位移传感器（如激光干涉仪）动态法测量压电系数测量。
热释电测试功能
主要用于薄膜及块体材料变温的热释电性能测试。采用电流法进行测量材料的热释电电流、热释电系数、剩余极化强度对温度和时间的曲线。
薄膜材料变温范围：-196℃到+600℃；
块体材料变温范围：室温到200℃、室温到600℃、室温到800℃
介电温谱测试功能
用于分析宽频、高低温环境条件下功能材料的阻抗z、电抗x、导纳y、电导g、电纳b、电感l、介电损耗d、品质因数q等物理量，同时还可以分析被测样品随温度、频率、时间、偏压变化的曲线。也可进行压电陶瓷的居里温度测试。
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用于研究材功材料性能的一些关键因素，诸如分子弛豫、相转变、玻璃化温度等等，通过tsdc技术也可以比较直观的研究材料的弛豫时间、活化能等相关的介电特性。
绝缘电阻测试功能
高精zhun度的电压输出与电流测量，保障测试的品质，适用于功能材料在高温环境材料的数据的检测。例如：陶瓷材料、硅橡胶测试、pcb、云母、四氟材料电阻测试、也可做为科研院所新材料的高温绝缘电阻的性能测试。
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符合功能材料导体、半导体材料与其它新材料在高温环境下测试多样化的需求。双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国a.s.t.m标准。也可应用于产品检测以及新材料电学性能研究等用途。
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适用于半导体，陶瓷材料，金属材料等多种材料的多种热电性能分析；可根据用户需求配置薄膜测量选件，低温选件温度范围-100℃到200℃，高阻选件高至10mω。
电卡效应测试功能
还可以用于测试材料在宽温度范围内的电卡性能。
温度范围：-50℃到200℃、热流时间范围：1s-1000s，大电压可达10kv，
波形：用户自定、脉冲、三角波、正弦波、任意波形、预定义波形。
用户可根据不同的需要，选择不同的配置。
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