KRi 离子源光通信应用, 助力 5G技术发展

光通信的信息载体是光波,为了进一步提高光通信系统中光信号的传输质量,满足光通信系统的使用要求,上海伯东美国kri 离子源通过离子束溅射, 辅助薄膜沉积等工艺在离子束镀膜系统中实现光模块, 光器件等薄膜元件的精密加工.离子源典型应用例如, 在光纤连接面镀 ar 增透膜 (减反射膜), 达到减少光纤对光的损耗, 增加光的透过率, 减少反射的工艺效果.
与国产离子源对比, 上海伯东美国kri 射频离子源主要特点
无需灯丝提供高能量, 低浓度的宽束离子束, 单次工艺时间更长, 非常适用于复杂, 精密的多层薄膜制备
提供致密, 光滑, 无针孔, 耐用的薄膜
远离等离子体: 低基材温度, 不需要偏压衬底
溅射任何材料, 不需要射频溅射电源
清洁, 低污染工艺
优良的反应沉积工艺, 沉积原子为坚硬, 耐用的薄膜保留溅射能量
可控制的离子能量, 离子电流密度
kri离子源在 ibsd 离子束溅射沉积应用
通常安装两个离子源
主要溅射沉积源和二次预清洁 / 离子辅助源
一次气源为惰性气体, 二次气源为惰性或反应性气体
基板远离溅射目标
工艺压力在小于× 10-4 torr
美国krirficp射频离子源技术参数
型号
rficp 40
rficp 100
rficp 140
rficp 220
rficp 380
discharge 阳极
rf 射频
rf 射频
rf 射频
rf 射频
rf 射频
离子束流
>100 ma
>350 ma
>600 ma
>800 ma
>1500 ma
离子动能
100-1200 v
100-1200 v
100-1200 v
100-1200 v
100-1200 v
栅极直径
4 cm φ
10 cm φ
14 cm φ
20 cm φ
30 cm φ
离子束
聚焦, 平行, 散射
流量
3-10 sccm
5-30 sccm
5-30 sccm
10-40 sccm
15-50 sccm
通气
ar, kr, xe, o2, n2, h2, 其他
典型压力
< 0.5m torr
< 0.5m torr
< 0.5m torr
< 0.5m torr
< 0.5m torr
长度
12.7 cm
23.5 cm
24.6 cm
30 cm
39 cm
直径
13.5 cm
19.1 cm
24.6 cm
41 cm
59 cm
中和器
lfn 2000
上海伯东同时提供真空系统所需的涡轮分子泵,真空规,高真空插板阀等产品, 协助客户生产研发高质量的真空系统.
1978 年 dr. kaufman 博士在美国创立 kaufman & robinson, inc 公司, 研发生产考夫曼离子源,霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经40 年改良及发展已取得多项专. 离子源广泛用于离子清洗 pc, 离子蚀刻 ibe, 辅助镀膜 ibad, 离子溅射镀膜 ibsd 领域.
若您需要进一步的了解kri射频离子源, 请参考以下联络方式
上海伯东: 罗小姐

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