电阻率和方块电阻测量原理
napson，一家生产和销售两种类型电阻测量系统的电阻率和方块电阻测量仪器制造商：接触式（4探针法等）和非接触式（涡流法等）。方块电阻测量的概述，以及我们的电阻测量技术和原理的概述。
电阻率和薄层电阻测量的三个基础电阻测量的定义
接触式：4探针法测量
非接触式：涡流测量
电阻测量的定义一般来说，电阻用于评估物质和材料的导电性（导电的难易程度）。作为电阻的评价标准，下面的ω（欧姆）可能很熟悉（很多人可能记得它是“欧姆定律”）。
电阻_（电阻）= ω [读数：欧姆]⇒ 表示电流流动困难程度的单位
r = v/i * v = 电压，i = 电流
用数字万用表（绝缘电阻表）测量的绝缘电阻一般也以ω为单位表示。
根据物质或材料的形状，电阻的单位也有所不同。根据测量对象的不同，有 jis 等各行业的工业标准规定的电阻单位。电阻的表示法是不同的。
除了电阻[ω]之外，我们的电阻测量系统还支持以下两种类型的电阻测量单位：电阻率[ω·cm]和方块电阻[ω/□]。
电阻率 = ω·cm [读数：欧姆·厘米]⇒ 物质的“体积电阻值”*也用电阻率来表示。
主要用于表示硅片、块体、导电橡胶、塑料等厚物体的电阻。
电阻：r的值由下式给出，其中ρ是电阻率，l是导体的长度，a是导体的横截面积。
r = ρ × [l/a]
因此，电阻率：ρ的值由下式表示。
ρ = v/i × [a/l]
*如果单位为ω·cm，则该值为1 cm x 1 cm x 1 cm的体积。根据被测物体的不同，可以用ωm（欧姆表）来表示。
方块电阻 = ω/□ [读作：欧姆每平方]⇒ 材料的“表面电阻”
主要用来表示薄膜、膜状物质等片状物体的电阻。
一般而言，在表示三维电导率时，电阻用下式表示。
r = ρ × l/a = l/w × ρs
如果样品长度：l和宽度：w均匀，则电阻：r和方块电阻：ρs相等。
薄层电阻：ρs也可以表示为电阻率：ρ除以厚度：t所获得的值。
接触式：4探针法测量在这里，我们将概述接触式（4探针法）的电阻率和方块电阻测量原理（原理的详细信息在材料中解释）。
4探针法主要用于接触式，可测量1e-3(1m)至1e+9(1g)ω/□级别的电阻范围。它是广泛领域中电阻测量的基本测量方法。
在4探针方法中，根据以下步骤进行测量。
(1)将四个针状电极沿直线放置在测量样品上。
(2)两个外部探针之间通过恒定电流。
(3)通过测量两个内部探针之间发生的电位差来获得电阻。
电阻率（比电阻）
方块电阻
我们的4探针测量系统具有符合jis和astm标准的测量方法和校正方法，特别受到硅相关用户的极大信赖，并被用作行业标准测量系统。
此外，为了可追溯性，我们使用符合美国国家标准技术研究院（nist）标准的标准样品作为设备校准的标准，进行仔细的装运前检查。
*四探针法和“四端子法”的测量原理相同，区别是与样品接触的电极部分的形状。4 探针探头的探针距离为 1mm = 测量点为 3mm，并且可以在比 4 探针小得多的点进行测量。另外，无需像4端子法那样在样品上形成电极，从而能够提高工作效率。
<4探针测量参考视频：aist>
此外，napson 的 4 探头电阻测量装置符合以下日本工业标准 (jis) 和美国材料与试验协会 (astm) 规定的标准。
日本工业标准jis h 0602-1995四探针法测量硅单晶和硅片的电阻率
jis k7194-1994导电塑料四探针法电阻率测试方法
美国测试与材料学会astm f84-99 (semi mf84)用串联四点探针测量硅片电阻率的标准测试方法
astm f374-00a使用单配置程序的串联四点探针测量硅外延层、扩散层、多晶硅层和离子注入层的薄层电阻的标准测试方法
astm f390-11用共线四探针阵列测量金属薄膜薄层电阻的标准测试方法
astm f1529-97采用双配置程序的在线四点探针评估薄层电阻均匀性的标准测试方法
非接触式：涡流测量在这里，我们将介绍非接触式（涡流法）电阻率和方块电阻测量原理的概要（原理的详细内容在资料中进行了说明）。
涡流法主要用于非接触式，可测量1e-3(1m)至1e+4(10k)ω/□级的电阻范围。用于半导体、化合物半导体、液晶、新型碳基材料等广泛领域的测量。涡流法测量系统利用电磁感应产生的涡流来测量电阻。非接触测量探头单元具有以恒定间隙布置在两侧（上和下）的探头芯（磁性体）。
<非接触测量探针单元的结构>
●在涡流法中，按照以下步骤进行测量。
(1)在探头芯之间施加高频以产生磁通量，当插入样品时，样品中会产生涡流。
(2)此时，(1)样品中流过涡电流→(2)样品中消耗电流并产生功率损失→(3)电路中的电流成比例减少。检测该减小的电流值。
(3)由于检测到的电流值和样品电阻之间存在反比关系，因此可以根据电流值和薄层电阻的校准曲线（计算公式）导出薄层电阻或电阻率。（*计算电阻率时，需要样品厚度信息）
<涡流测量参考视频：aist>
.......（无法打开）
非接触式（双面探头式）和非破坏式（单面探头式）如上所述，非接触式测量是通过将样品插入顶部和底部探头对之间的间隙来进行的。因此，探针单元的形状不可避免地限制了样品的厚度和相应的尺寸。
样品厚度限制：因为探针间间隙通常为 2 mm。可用样本大小的限制：由于 u 形单元形状，深度受到限制。
因此，为了处理大样品和厚样品，我们应用涡流技术，开发并制造了单面手持式探头类型。
如左图所示，只需将探头与样品表面垂直接触即可进行测量。
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主要用于表示硅片、块体、导电橡胶、塑料等厚物体的电阻。
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因此，电阻率：ρ的值由下式表示。
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4探针法主要用于接触式，可测量1e-3(1m)至1e+9(1g)ω/□级别的电阻范围。它是广泛领域中电阻测量的基本测量方法。
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(1)将四个针状电极沿直线放置在测量样品上。
(2)两个外部探针之间通过恒定电流。
(3)通过测量两个内部探针之间发生的电位差来获得电阻。
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我们的4探针测量系统具有符合jis和astm标准的测量方法和校正方法，特别受到硅相关用户的极大信赖，并被用作行业标准测量系统。
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*四探针法和“四端子法”的测量原理相同，区别是与样品接触的电极部分的形状。4 探针探头的探针距离为 1mm = 测量点为 3mm，并且可以在比 4 探针小得多的点进行测量。另外，无需像4端子法那样在样品上形成电极，从而能够提高工作效率。
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